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IGBT/MOSFET模块 IGBTMOSFET
全碳化硅功率模块
发布时间:2017-05-25
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赛米控以MiniSKiiP,SEMITOP和SEMITRANS封装形式提供全碳化硅功率模块。通过使用领先供应商的碳化硅 MOSFET,可以达到最大输出功率及功率密度,且开关频率高,损耗减至最低,效率提升至最高。 开关频率的增加令无源滤波器组件的需求大大减少。而功率损耗减小, 所需的散热器可以更小和冷却需求更低。此两种好处可以让系统成本大幅下降。

可提供的全碳化硅功率模块电流为20A-500A, 电压为1200V。可带或不带反并联续流肖特基二极管。

涵盖的拓扑结构包括经典配置的三相全桥, 同时可以分别输出以便灵活地适应您的应用。半桥和包括一个旁路二极管的升压斩波电路也供选择。



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