二极管的伏安特性详细讲解。
发布时间：2020-09-25
二极管的核心是PN结，它的特性是PN结——单向导通的特性。
正向特性(外加直流电压)
正向特性是二极管正向偏置时电压和电流之间的关系。当二极管两端的直流电压很小时，直流电压产生的外部电场不足以使多重态形成扩散运动。此时二极管实际上并没有很好的导通，这通常被称为“死区”。二极管相当于一个大电阻，正向电流很小。
当直流电压超过一定值时，内部电场大大减弱，在外部电场的作用下，多重态形成扩散运动。此时，正向电流随着直流电压的增加而迅速增加，二极管导通。该电压称为阈值电压(也称为阈值电压)，用Vth表示。室温下，硅管的Vth约为0.5V，锗管的Vth约为0.1V.
一旦二极管导通，随着直流电压的轻微增加，正向电流会大大增加。此时二极管的电阻很小，可以认为二极管具有恒压特性。二极管的正向压降硅管约为0.6~0.8V(通常为0.7V)，锗管约为0.2~0.3V(通常为0.2V)。
反向特性(施加反向电压)
反向特性是二极管反向偏置时电压和电流之间的关系。反向电压加强了内部电场对多重态扩散的势垒，多重态很难形成电流，但少数载流子在电场作用下漂移，形成小的漂移电流，基本上与反向电压的大小无关。此时反向电流称为反向饱和电流耗尽，二极管呈现高反向电阻，处于关断状态。
反向击穿特性
当反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，称为二极管反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，表示为%R.在实际应用中，反向击穿后的电流应加以限制，以免损坏二极管。
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