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IGBT/MOSFET模块 IGBTMOSFET
混合碳化硅功率模块
发布时间:2017-05-25
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赛米控提供混合碳化硅功率模块如,MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit和SKiM63/93。将新的IGBT技术和由先进供应商所提供的SiC(碳化硅)肖特基二极管结合在一起,以提高开关频率,同时减少功率损耗。

可提供的混合碳化硅功率模块电流为50A - 600A,电压为 1200V。涵盖三相全桥和半桥拓扑结构。

SiC(碳化硅)肖特基续流二极管所带来的开关损耗近乎为零, 同时能大大降低IGBT的导通损耗。这些效果可以在同一个模块封装里带来更高的开关频率,它有效地降低了对如太阳能逆变器、UPS系统或高频电源的输出端的滤波要求。而且可实现比标准硅功率模块更高的输出功率。



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